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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905711-007.A00G 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
98
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
98
读取速度,GB/s
14.4
14.7
写入速度,GB/s
9.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1415
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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