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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
21.1
写入速度,GB/s
1,590.1
18.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3959
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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