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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
16.8
写入速度,GB/s
2,135.0
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3254
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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