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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,387.7
16.0
写入速度,GB/s
1,813.5
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2561
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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