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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
14.4
19.2
写入速度,GB/s
9.5
17.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3856
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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