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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
14.4
15.8
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2761
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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