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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
55
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
55
读取速度,GB/s
14.4
9.3
写入速度,GB/s
9.5
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2078
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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