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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
12.8
17.9
写入速度,GB/s
7.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3551
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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