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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
55
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
55
读取速度,GB/s
12.8
21.0
写入速度,GB/s
7.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2457
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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