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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
12.8
16.3
写入速度,GB/s
7.4
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2680
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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