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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
12.8
18.0
写入速度,GB/s
7.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3141
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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