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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
12.8
14.5
写入速度,GB/s
7.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2368
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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