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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
11.7
15.9
写入速度,GB/s
7.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3023
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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