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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
11.7
17.6
写入速度,GB/s
7.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3412
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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