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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
11.7
16.9
写入速度,GB/s
7.2
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3571
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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