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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
11.7
17.0
写入速度,GB/s
7.2
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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