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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9905711-032.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
41
读取速度,GB/s
11.7
13.2
写入速度,GB/s
7.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2040
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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