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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
11.7
15.9
写入速度,GB/s
7.2
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3026
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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