RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9965669-009.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
11.7
10.3
写入速度,GB/s
7.2
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2175
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link