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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
11.7
13.7
写入速度,GB/s
7.2
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2611
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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