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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
11.7
14.2
写入速度,GB/s
7.2
11.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2462
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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