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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
11.7
19.7
写入速度,GB/s
7.2
13.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3186
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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