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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
11.7
8.7
写入速度,GB/s
7.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1999
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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