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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
11.7
18.1
写入速度,GB/s
7.2
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3254
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
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