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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
11.7
17.4
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3419
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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