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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
11.7
13.0
写入速度,GB/s
7.2
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2317
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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