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Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
比较
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.0
14.7
写入速度,GB/s
8.0
9.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1581
2585
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB RAM的比较
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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