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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
56
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
39
读取速度,GB/s
4,387.7
12.8
写入速度,GB/s
1,813.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2089
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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