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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
4,387.7
15.5
写入速度,GB/s
1,813.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2938
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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