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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
4,387.7
20.6
写入速度,GB/s
1,813.5
13.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3518
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
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