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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
101
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
101
读取速度,GB/s
4,387.7
15.7
写入速度,GB/s
1,813.5
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1666
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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