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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

总分
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 56
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.9 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,387.7 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    1,813.5 left arrow 12.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    693 left arrow 3266

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较

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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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