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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
56
左右 -195% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
19
读取速度,GB/s
4,387.7
19.9
写入速度,GB/s
1,813.5
18.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3691
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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