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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
19.0
写入速度,GB/s
1,813.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3435
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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