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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.3
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,387.7
20.0
写入速度,GB/s
1,813.5
17.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3815
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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