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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
56
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
38
读取速度,GB/s
4,387.7
14.6
写入速度,GB/s
1,813.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2853
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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