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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
16.9
写入速度,GB/s
1,813.5
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3050
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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