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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,387.7
14.5
写入速度,GB/s
1,813.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2839
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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