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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
4,387.7
16.3
写入速度,GB/s
1,813.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2911
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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