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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,387.7
18.5
写入速度,GB/s
1,813.5
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3873
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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