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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
4,387.7
19.9
写入速度,GB/s
1,813.5
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3832
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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