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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
4,387.7
13.6
写入速度,GB/s
1,813.5
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2690
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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