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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,387.7
15.1
写入速度,GB/s
1,813.5
9.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2589
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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