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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
21.7
写入速度,GB/s
1,813.5
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3806
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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