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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
56
左右 -211% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
18
读取速度,GB/s
4,387.7
20.9
写入速度,GB/s
1,813.5
16.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3609
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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