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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
24
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
20.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,387.7
24.0
写入速度,GB/s
1,813.5
20.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
4156
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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