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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
15.9
写入速度,GB/s
1,813.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3021
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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