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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,387.7
17.3
写入速度,GB/s
1,813.5
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3112
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
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