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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
56
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
38
读取速度,GB/s
4,387.7
8.7
写入速度,GB/s
1,813.5
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1999
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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