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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
4,387.7
19.5
写入速度,GB/s
1,813.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3355
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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